產(chǎn)品分類
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簡(jiǎn)要描述:日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針大電流、高溫是彈簧探頭耐高溫200°C,在高溫、大電流測(cè)試環(huán)境中表現(xiàn)出色。其產(chǎn)品尤其擅長(zhǎng)應(yīng)對(duì)大電流和高溫環(huán)境,適用于半導(dǎo)體器件測(cè)試、晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試等嚴(yán)苛場(chǎng)景。
深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針大電流、高溫KMW040-001RG 產(chǎn)品特點(diǎn)如下:
日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針大電流、高溫KMW040-001RG 彈簧探頭耐高溫200°C,在高溫、大電流測(cè)試環(huán)境中表現(xiàn)出色。
其產(chǎn)品尤其擅長(zhǎng)應(yīng)對(duì)大電流和高溫環(huán)境,適用于半導(dǎo)體器件測(cè)試、晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試等嚴(yán)苛場(chǎng)景。
1. 大電流彈簧探針技術(shù)
高載流能力:
KITA探針采用特殊合金材料(如鈹銅、鎢銅)和鍍層工藝(如鍍金、鍍鈀),可承載數(shù)十安培(A)的持續(xù)電流,瞬時(shí)脈沖電流能力更強(qiáng),滿足功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET)、汽車電子等大電流測(cè)試需求。
低接觸電阻:
精密加工的針尖結(jié)構(gòu)和鍍層確保與焊盤/引腳的低阻抗接觸,減少電流損耗和發(fā)熱,提升測(cè)試精度。
散熱設(shè)計(jì):
部分型號(hào)集成散熱槽或空心結(jié)構(gòu),通過(guò)氣流或冷卻系統(tǒng)輔助散熱,避免高溫導(dǎo)致的性能衰減。
2. 核心特性
(1)大電流性能
額定電流:預(yù)計(jì)可達(dá) 20-30A 瞬時(shí)脈沖電流更高。
低阻抗設(shè)計(jì):
材料:高導(dǎo)電合金(如鈹銅基體+鍍金層),接觸電阻極低(典型值<10mΩ)。
結(jié)構(gòu):多針尖或冠狀設(shè)計(jì),確保與測(cè)試焊盤大面積接觸,分散電流密度。
散熱優(yōu)化:
空心或開槽結(jié)構(gòu)增強(qiáng)散熱,避免持續(xù)大電流導(dǎo)致的溫升影響性能。
(2)高溫耐受性
工作溫度范圍:-40°C至 +150°C或更高(如+200°C,需查證數(shù)據(jù)表)。
材料耐熱性:
彈簧:高溫合金(如Inconel 718),抗熱疲勞。
針管:不銹鋼或鎳合金,高溫下不變形。
鍍層穩(wěn)定性:鍍金/鍍鈀層在高溫下抗氧化,保持接觸可靠性。
3. 高溫環(huán)境適應(yīng)性
耐高溫材料:
針體使用高溫合金(如不銹鋼、鎳基合金),彈性部件選用高溫穩(wěn)定彈簧(如Inconel),可在-40°C至+200°C(甚至更高)下長(zhǎng)期工作。
抗熱疲勞:
特殊熱處理工藝確保探針在冷熱循環(huán)中保持彈性,避免高溫下應(yīng)力松弛導(dǎo)致的接觸不良。
應(yīng)用場(chǎng)景:
適用于汽車電子(引擎控制單元)、功率模塊、高溫傳感器等需在高溫環(huán)境下測(cè)試的器件。
4. 典型應(yīng)用場(chǎng)景
功率半導(dǎo)體測(cè)試:
SiC/GaN器件、IGBT模塊的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
高溫老化測(cè)試:
汽車電子(如ECU、BMS)在高溫環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠性驗(yàn)證。
高密度測(cè)試座:
兼容探卡或測(cè)試插座,支持多引腳并行大電流測(cè)試。
5. 行業(yè)應(yīng)用
功率電子:IGBT模塊、電源管理IC(PMIC)的量產(chǎn)測(cè)試。
汽車電子:ECU、電池管理系統(tǒng)(BMS)的高溫老化測(cè)試。
工業(yè)設(shè)備:高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的可靠性驗(yàn)證。
6. 優(yōu)勢(shì)總結(jié)
可靠性:長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì),耐受數(shù)百萬(wàn)次插拔。
定制化:支持針徑、行程、力度等參數(shù)按需定制。
兼容性:適配主流測(cè)試機(jī)臺(tái)(如Keysight、Teradyne)和探卡(Probe Card)。
7. 機(jī)械參數(shù)
總長(zhǎng):40mm(型號(hào)中“040"可能指示長(zhǎng)度)。
行程:1.0-2.0mm(具體值需確認(rèn))。
接觸力:中等偏高壓(如200-300gf),確保高溫下接觸不松動(dòng)。
壽命:>100萬(wàn)次插拔(大電流條件下可能略低)。
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